Nouvelles générations de systèmes de conversion électriques compacts, efficaces et à faible coût, pour accompagner l’électrification de la société.
Des smartphones aux véhicules électriques en passant par les appareils électroménagers, le courant et la tension électriques doivent à la fois être traités et contrôlés à l’aide d’un convertisseur pour fournir l’énergie optimale requise par chaque appareil spécifique. Cependant, la conversion de puissance entraîne une perte d’énergie. Le nitrure de gallium (GaN) et d’autres matériaux à bande interdite large peuvent réduire considérablement les pertes occasionnées par les phases de conversion en courant et en tension.
Pour la gamme 100-650 V, les technologies GaN-sur-silicium (GaN/Si) complètent les possibilités actuelles des composants en carbure de silicium et silicium. Jusqu’à récemment, ces technologies étaient trop coûteuses pour être utilisées dans des applications de conversion de puissance. Mais poussés par les industries aéronautique et automobile dans leur quête de convertisseurs de puissance très compacts et efficaces à faible coût, les centres de R&D sont aujourd’hui pionniers de nouvelles techniques GaN. Celles-ci permettent désormais d’envisager des systèmes de conversion compacts et efficaces à faible coût, dimensionnés pour accompagner les différents besoins de l’électrification de la société.
A l’heure ou la maturité technologique est suffisante pour permettre les conditions d’une industrialisation, les IRT Nanoelec et Saint Exupéry et l’lTE Vedecom proposent de réunir la communauté académique et industrielle du GaN, pour échanger sur les thèmes suivants :
- Structuration d’une filière à l’initiative de STMicroelectronics et des apports du programme dédié de l’IRT Nanoelec.
- Perspectives applicatives et enjeux de R&D
- Initiatives institutionnelles.